1周前 · it 中国研究人员称赞在 DRAM‑like 单元方面的突破，该技术可用于嵌入式或 3D 堆叠内存——制造细节缺失使大规模生产存疑 中国研究人员展示了一种 4F² 双栅 2T0C 无电容、类 DRAM 存储单元，具备多位存储、快速写入和长保持时间。在...
