中国研究人员称赞在 DRAM‑like 单元方面的突破，该技术可用于嵌入式或 3D 堆叠内存——制造细节缺失使大规模生产存疑

Source: Tom’s Hardware

主要发现

中国研究人员展示了一种 4F² 双栅 2T0C 无电容、类 DRAM 存储单元，具备多位存储、快速写入和长时间保持的特性。理论上，这项技术可用于嵌入式或堆叠式 3D 存储器，但其可制造性和商业可行性仍存在疑问。