1주 전 · it

중국 연구자들, DRAM 유사 셀의 돌파구를 환호 — 임베디드 또는 3D 스택 메모리에 활용 가능, 제조 세부 정보 부재가 대량 생산에 의문을 제기

중국 연구원들은 4F² 듀얼게이트 2T0C 캐패시터리스 DRAM 유사 메모리 셀을 시연했으며, 다중 비트 저장, 빠른 쓰기, 긴 유지 시간을 제공합니다. ...