중국 연구자들, DRAM 유사 셀의 돌파구를 환호 — 임베디드 또는 3D 스택 메모리에 활용 가능, 제조 세부 정보 부재가 대량 생산에 의문을 제기
발행: (2026년 1월 9일 오후 09:02 GMT+9)
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원문: Tom's Hardware
Source: Tom’s Hardware
주요 결과
중국 연구진은 4F² 듀얼‑게이트 2T0C 커패시터‑리스, DRAM‑유사 메모리 셀을 시연했으며, 이 셀은 다중 비트 저장, 빠른 쓰기 및 긴 유지 시간을 제공합니다. 이론적으로는 해당 기술을 임베디드 메모리 또는 3D 스택 메모리로 활용할 수 있지만, 제조 가능성 및 상업적 실현 가능성에 대한 의문점이 남아 있습니다.