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전 삼성 엔지니어, 10nm DRAM 데이터를 중국 CXMT에 제공한 혐의, 손글씨 메모에 600여 개 공정 단계 상세 — gas flow ratios, photoresist 설정 및 기타 중요한 단계 상세
전 삼성 엔지니어가 회사의 10nm DRAM 데이터에 대한 비밀을 중국의 ChangXin Memory Technologies에 제공한 혐의를 받고 있다.
전 삼성 엔지니어가 회사의 10nm DRAM 데이터에 대한 비밀을 중국의 ChangXin Memory Technologies에 제공한 혐의를 받고 있다.