전 삼성 엔지니어, 10nm DRAM 데이터를 중국 CXMT에 제공한 혐의, 손글씨 메모에 600여 개 공정 단계 상세 — gas flow ratios, photoresist 설정 및 기타 중요한 단계 상세

발행: 3일 전 (2025년 12월 30일 오전 12:00 GMT+9)

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Source: Tom’s Hardware

Summary

전 삼성 엔지니어가 중국 장신 메모리 테크놀로지스(ChangXin Memory Technologies)에 회사의 10 nm DRAM 공정 비밀을 제공한 혐의를 받고 있으며, 이 엔지니어가 상세 공정 단계에 대해 수백 장의 손글씨 메모를 작성한 것으로 알려졌습니다.

10명의 전 삼성 직원이 삼성의 10‑nm DRAM 기술을 CXMT에 유출한 혐의를 받고 있으며, 이로 인해 후자가 기술적 돌파구를 달성한 것으로 추정됩니다.

중국 메모리 제조업체 CXMT가 베이징에서 IPO를 신청할 준비를 하고 있으며, 생산 확대와 차세대 DRAM 개발을 위한 자금으로 $4.2 billion USD를 조달하려 하고 있다.

미국 정부는 삼성전자와 SK 하이닉스가 칩 제조 장비를 자사 제조 시설로 배송할 수 있도록 연간 수출 허가를 승인했습니다.

중국은 조용히 새로운 반도체 생산 능력에 사용되는 장비의 최소 50%를 국내에서 조달하도록 의무화했습니다. 그러나 중국 산업이 생산할 수 없기 때문에...