前三星工程师被指向中国CXMT提供10nm DRAM数据，手写笔记详列600余个工艺步骤——包括气体流量比例、光刻胶设置等关键阶段

Source: Tom’s Hardware

Summary

一名被指控向中国长鑫存储技术公司提供公司 10 nm DRAM 数据机密的前三星工程师，据称在详细工艺步骤上做了数百页手写笔记。