마이크론 버지니아 공장, 미국 최고 수준 DRAM 양산 시작… 생산량 4배 확대로 자동차·방위 분야 DDR4 부족 완화

출처: Tom’s Hardware

(이미지 출처: 마이크론 테크놀로지)

마이크론은 이번 주에 발표했습니다 자사가 버지니아 주 매너서스 시설에서 1α(1‑알파) DRAM 생산을 시작했음을. 이번 조치는 회사의 가장 진보된 DDR4 호환 공정 기술을 미국 토양에 처음으로 도입하는 것이며, 마이크론이 현장 DDR4 웨이퍼 생산량을 4배로 늘릴 것이라고 밝힌 이번 확장은 20억 달러 이상 규모의 투자이며, 최종 확정된 CHIPS 및 Science Act 자금 2억 7,500만 달러가 지원되었고, 생산은 연말까지 시작될 예정입니다.

이 회사는 미국 내 유일한 메모리 제조업체이며, 매너서스 팹은 특히 자동차, 방위, 항공우주, 산업, 네트워킹 및 의료기기 분야의 장수주기 고객을 대상으로 합니다.

마이크론은 구형 메모리 표준의 공급이 예상치 못하게 급격히 감소함에 따라 DDR4 생산을 확대하고 있습니다. 주요 DRAM 제조업체 3곳 모두 DDR5, LPDDR5X 및 고대역폭 메모리(HBM) 쪽으로 팩터리 용량을 재배치해 하이퍼스케일러와 데이터센터 운영자의 AI 기반 수요를 충족시키고 있습니다. 마이크론 자체는 지난해 고용량 소비자 및 데이터센터 부문에서 주류 DDR4와 LPDDR4 제품에 대해 생산 종료 공지를 발표했습니다, 해당 고객에 대한 최종 출하가 2026년 초에 마무리될 예정입니다.

이 결정으로 장수주기 제품을 보유한 산업군이 노출되었으며, S&P Global Mobility는 자동차용 DRAM 계약 가격이 2025년 대비 2026년에 70%100% 상승할 수 있다고 추정하고, 구세대 자동차 DRAM 공급이 2028년까지 급격히 감소할 것이라고 경고했습니다. 자동차 및 산업용 구매자를 위한 DDR4 재고 버퍼는 31주 이상에서 68주 수준으로 급감한 것으로 알려졌습니다.

TH 프리미엄으로 더 깊이 파고들기: 메모리

마이크론이 2020년 말 대만 팩에서 처음 양산에 도입한 1α 공정 노드는 이전 1z 노드 대비 약 40% 높은 비트 밀도를 제공하며, 15nm 이하 셀 크기를 달성한 최초의 DRAM 기술이었습니다. 이 공정은 삼성전자가 고급 DRAM 노드에 채택한 비용이 높은 EUV 장비 대신 DUV 리소그래피를 사용합니다. 마이크론의 최신 1β 및 1γ 노드는 DDR5, LPDDR5 및 HBM 전용입니다.

1α를 버지니아에 온쇼어링함으로써 DDR4와 LP4 메모리를 위한 전용 국내 생산 라인이 구축되어 마이크론의 최첨단 AI 중심 제품과 웨이퍼 시작 경쟁을 피하게 됩니다. 매너서스 시설은 또한 3,100명 이상의 직접 제조 및 지역 일자리를 지원합니다.

버지니아 팩은 마이크론의