Intel, 표준 대량 생산 fab 환경에서 몇 원자 두께의 2D 트랜지스터 제조 진행 상황 상세히 발표 — 칩 제조업체, 2D 트랜지스터 접점 및 게이트 스택 통합이 가능한 300‑mm fab 개요
발행: (2025년 12월 17일 오후 10:20 GMT+9)
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원문: Tom's Hardware
Source: Tom’s Hardware
Summary
인텔과 imec은 2D 트랜지스터용 접점 및 게이트 스택을 300 mm 규모의 파운드리와 호환되도록 최초로 통합한 사례를 선보였습니다. 이는 오랫동안 연구되어 온 2D 소재를 실험실 수준에서 벗어나 대량 생산 로직 제조에 현실적인 옵션으로 전환하는 데 중요한 단계가 됩니다.