CXMT 以约为市场普遍价格一半的价格提供 DDR4 芯片

Source: Hacker News

概览

三星电子和 SK 海力士正争相量产第六代高带宽存储（HBM4），而中国竞争对手则通过以约市场价一半的价格提供芯片，在传统 DRAM 市场上取得进展。

DDR4 价格压力

• CXMT 的策略： 以约 50 % 的市场价提供旧代 DDR4 芯片。
• 市场背景： 全球供应短缺导致 DDR4 价格大幅上升。
• 价格数据（DRAMeXchange，1 月底）：
  • PC DDR4 8 Gb 的平均固定合同价为 $11.50（比一个月前的 $9.30 上涨 23.7 %）。
  • 与去年同期相比，价格高出八倍以上。
  • DRAM 价格已连续 10 个月上涨，达到自 2016 年 6 月以来的最高水平。

需求信号

• 美国硬件公司 HP 和 Dell 正在测试 CXMT 的 DRAM 质量。
• 台湾 OEM 华硕（Asus） 和 宏碁（Acer） 正在探索与中国合作伙伴的合作。

“中国企业正以量为导向的策略从通用内存入手，背后有国家补贴以及来自 AI 服务器和本土研发 GPU 的国内需求，”——匿名行业消息人士。

对韩国芯片厂商的影响

• 传统 DRAM 部分仍然是三星和 SK 海力士 收益的重要组成部分。
• 两家公司超过 一半的 DRAM 产能 用于通用产品。
• 即使在 HBM4 领域保持领先，主流市场的侵蚀也可能压缩利润率。

CXMT 的扩张计划

• 晶圆转换： CXMT 上海工厂约 20 % 的总 DRAM 产量（≈ 60,000 片/月）正转用于第四代 HBM3 生产。
• 未来展望： 正在就 HBM3E 之后的产品进行讨论。
• 产能： 上海设施规模是合肥总部工厂的 2–3 倍。
• 时间表： 设备安装预计在 2026 年下半年完成；量产计划在 2027 年。
• 市场角色： 虽然 HBM3/HBM3E 在性能上落后于 HBM4，但它们在 AI 数据中心仍被广泛使用。

YMTC 在 NAND 方面的进展

• 市场份额： 去年首次实现全球 NAND 市场 10 % 的份额。
• 新厂房： 正在武汉建设第三座晶圆厂，目标于 2027 年投产。
• 产能分配： 新厂房一半产能将用于 DRAM，初期聚焦传统产品，随后可能通过本地组装合作伙伴扩展至 HBM 生产。

“在此阶段，中国制造商依靠激进的定价在传统 DRAM 市场建立规模。随着时间推移，技术差距可能比预期更快缩小。即使韩国企业在 HBM 上保持领先，忽视主流细分市场也会在长期内对盈利能力产生负面影响，”——匿名消息人士。

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